这项技术虽然没有大规模商业化，但已经有了雄厚的基础，在过去的二十年间，全球科学家围绕半导体纳米线开展了系统深入的研究，为半导体纳米线功能器件领域，带来了蓬勃发展。
根据ebfiee的检索结果统计，从1999年到2015年，全世界关于半导体纳米线研究i论文总数超过17万篇。
经过这些年的发展，大家对半导体纳米线的可控制备、性能调控、器件构筑与应用的认识不断加深。
半导体纳米线技术也渐渐在不同领域，展现了巨大应用潜力，正逐渐从基础研究走向实际应用。
目前，基于半导体纳米线的场效应管、纳米发电机、纳米芯片、场发射器件、太阳能电池、发光二极管、激光器、光电探测器、光波导器件、存储器件、光催化以及高敏感化学与生物传感器等功能器件，相继被研制出来。
虽然，这些仅仅是实验室产品，成本极高，并无法大规模商用。
它未来的潜力和价值，却是无法估量的。
特别是在半导体领域，半导体纳米线承载着全球科学家的期盼，有望实现半导体功能器件领域的变革性发展。
根据一些相关领域的大牛展望，半导体纳米线功能器件，或许将成为纳米科技走向应用的重要突破点。
对芯片、各种半导体器材而言，小型化、低能耗和智能化一直是其重要的发展趋势。
当半导体器件线宽小于100n时，将对设备和制造工艺提出更高要求，成本增加巨大，传统工艺的局限性越严重。
而基于传统工艺的光刻机，从起初的v光刻机水平，逐步提升到了dv光刻机水平，再发展到现在的ev光刻机水平，在这条路上越走越远。
设备越来越大，成本越来越高。
它还有一个致命的缺点，就是有自身的物理极限，发展到一定的地步，就无法再深入发展下去了。
众所周知，光刻机也称紫外线光刻机，是利用紫外线加工芯片，dv光刻机就是深紫外线光刻机，ev光刻机就是极深紫外线光刻机。
光的颜色越靠近红色，它的频率越低；越靠近紫色，它的频率就越高。光的速度是一个常数，频率越高，波长越小。
ev光刻机采用的光频率是极深紫外线频率，对应的波长大约为10~15纳米；dv光刻机采用的光频率是深紫外线频率，对应的波长大约为200纳米；v光刻机采用的光频率是紫外线频率，其对应的波长大约为360纳米。
也就是说，光刻机越先进，需要的光频率越高。
光的频率，它是一个物理客观存在的数值，是很难通过人为的手段去改变提高的。
……
现在采用的是极深紫外线频率，很难再找到更高频率的光线，所以光刻机的水平也很难再被提升。
光刻机技术得不到提升，直接导致芯片的制造工艺得不到有效地提升，也让芯片的制造工艺不可能由14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这样一直小下去，它是有物理极限的。
另外，用光刻机制造芯片的原材料硅晶，也有他自身的材料极限。
硅晶的最小的单位“硅原子”直径大约为0.22纳米。
如今传统的芯片制造工艺，是不可能比硅原子还小，超过0.22纳米。这个也是它的一个物理极限。
……
也就是说，传统的芯片制造工艺有两大极限。
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